ALN seramik substrats

Atik: ALN seramik substrats
Materyèl: Aln
Gwosè: 120mm x 120mm, epesè pi gran pase oswa egal a 0.1mm
Fòm: kare ak Customized
Pwosesis: sèk peze oswa tiyo-Distribisyon, presyon presyon, presizyon machining/pwosesis lazè, polisaj sifas yo

Pwodwi Deskripsyon

Enfòmasyon debaz yo

Avèk devlopman wòdpòte nan mikwo-elektwonik ak teknoloji semi-conducteurs, motè ak konpozan elektwonik yo piti piti k ap antre nan yon epòk nan miniaturizasyon, lejè, dansite segondè-enèji, ak pwodiksyon segondè-pouvwa {{2} Atansyon . substrats seramik ALN gen karakteristik sa yo nan konduktiviti segondè tèmik, koyefisyan ekspansyon tèmik fèmen nan Silisyòm, segondè fòs mekanik, bon estabilite chimik, pwoteksyon anviwònman, ak ki pa toksisite . li konsidere kòm yon materyèl ideyal pou nouvo jenerasyon chalè-dissipations ak elektwonik ak elektwonik ak elektwonik ak elektwonik ak elektwonik ak elektwonik ak elektwonik ak elektwonik sou chalè itretasyon {itretasyon ak dlo iterè iterè {yo ak nouvo jenerasyon chalè-dissipations ak elektwonik ak elektwonik ak elektwonik ak dlo chalè iter ak iterè {yo ak nouvo jenerasyon chalè {yo ak dlo iterè {

Materyèl avanse Chipnano ofri yon varyete de pwodwi aliminyòm nitrid seramik, ki gen ladan ALN substrate, fèy papye, branch, tib, tiyo, plak, bag, crucibles, pati Customized, elatriye . pwodwi yo ka tou presizeman pa trete pa perçage, Grooving, tape, elatriye {{{{

Kòm yon nouvo jenerasyon nan materyèl segondè konduktivite tèmik, nitrid aliminyòm gen anpil avantaj:

-Gwo konduktiviti tèmik, plis pase 7 fwa sa yo ki nan seramik alumina;

-Low koyefisyan ekspansyon tèmik (4.5-10-6/ degre) matche ak semi -conducteurs Silisyòm materyèl (3.5-4.0-10-6/ degre);

-Low dyelèktrik konstan

-Eksele pèfòmans izolasyon

-Excellent pwopriyete mekanik, ak pi wo fòs fleksib pase Al2O3 ak seramik BEO, epi yo ka frenn nan presyon nòmal;

-Wo rezistans ak rezistans ewozyon nan metal fonn

Espesifikasyon

Aliminyòm nitrid seramik espesifikasyon substrate

Produi	ALN seramik substrats
Materyo	Aln
Lèt	Kare ak Customized
Trete	Sèk peze oswa tiyo-Distribisyon, presyon presyon, presizyon machining/pwosesis lazè, polisaj sifas yo
Sifas brutality	RA<0.6um

Dimansyon pou ALN seramik substrats

Longè x lajè

50mm x 50mm

120mm x 120mm

150mm x 150mm

190mm x 140mm

Epesè

Pi gran pase oswa egal a 0.1mm

Ka gwosè a nan substrats yo Customized

Aplikasyon prensipal yo nan ALN substrats seramik

Using an AlN ceramic substrate as the carrier of the chip can isolate the chip from the module's heat dissipation base. The AlN ceramic layer in the middle of the substrate can effectively improve the insulation capacity of the module (the insulation withstand voltage of the ceramic layer is > 2.5 kV). At the same time, the aluminum nitride ceramic substrate has good thermal conductivity, and the thermal conductivity can reach 170-250W/mK. In addition, the expansion coefficient of the AlN ceramic substrate is similar to that of silicon and will not cause stress damage to the chip. The peel strength of the aluminum nitride ceramic substrate is >20N/mm2, ak pwopriyete ekselan mekanik, rezistans korozyon, epi li pa fasil pou defòme . li kapab itilize nan yon seri tanperati lajè .